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    DKDP電光調制模塊

    2020-01-03

    DKDP電光調制模塊主要特點:

    ·重復頻率0~400Hz

    ·晶壓2.0~5.0KV

    ·脈沖前沿≤10ns

    ·EMI/RFI屏蔽封裝

    ·TTL電平觸發光耦隔離

    ·輸入12±1VDC

    ·外置電位器控制輸出高壓

    ·高可靠性、全溫度范圍

     

    DKDP電光調制模塊


    應用范圍:

    1.KD*P   2.LINbO 

    3.其他光電晶體

    (驅動Pockels cells)

    應用范例:

    a.中低重頻LD泵浦調Q固體激光器 

    b.燈泵調Q固體激光器

    模塊參數:

     

    類型

    數值

    單位

    備注

    輸出電壓

    2.0~5.0

    kV


    退壓/升壓時間

    ≤10

    ns

    負載為10PF

    延時抖動

    ≤2

    ns


    恢復時間

    ≤100

    μs

    與負載相關

    電源輸入

    12

    VDC

    功耗小于2.5W

    工作頻率

    0~400

    Hz

    支持單次工作

    模塊尺寸

    68*37*15

    mm

    尺寸包括兩側安裝孔位

    工作溫度

    -40~60


    存儲溫度

    -40~85


    模塊重量

    75

    g



    升壓模塊接線定義:

    編號

    定義

    說明

    1

    +12V

    輸入電源+

    2

    GND

    輸入電源-

    3

    SG-

    觸發脈沖信號-(上升沿觸發)

    4

    SG+

    觸發脈沖信號+(上升沿觸發)

    5

    FB1

    接控制電位器一端 100KΩ

    6

    FB2

    接控制電位器一端 100KΩ

    7

    EN-

    高壓使能控制-

    8

    EN+

    高壓使能控制+

    9

    GND

    輸出地

    10

    HVPULSE

    高壓升壓脈沖輸出端



    注意:

    1.”SG+ SG-”與“EN+ EN-”控制信號輸入模塊內部為光耦隔離設置

    2. EN+ EN-為高壓使控制端(光耦輸入端)。不接或接入低電平高壓使能,接入高電平(3.3V/5.0V)高壓輸出為0.

    3.SG+ SG-為外觸發信號輸入端(光耦輸入端)(3.3V/5.0V TTL)。輸入信號為上升沿觸發,外觸發信號與升壓脈沖輸出延時<75ns

    4.請將“HVPULSE”與“GND”接入調Q晶體兩端

    6.用高壓探頭測試輸出高壓脈沖,請將高壓探頭的地與輸出地“GND”連接,用高壓探頭測試“HVPULSE”端,輸出高壓脈沖為負高壓脈沖。

     

    光耦隔離設置



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