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    RTP電光開關
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    DKDP電光Q開關

    DKDP電光Q開關

    • 所屬分類:電光開關
    • 瀏覽次數:
    • 發布日期:2021-06-03
    • 產品概述
    • 性能特點
    • 技術參數

    DKDP電光Q開關

    (DKDP普克爾盒)


    產品特性:

    磷酸二氘鉀DKDP(KD*P)晶體光學損耗低,消光比高,電光性能好,應用廣泛,通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘鉀晶體(DKDP)利用其縱向效應制成電光調Q開關,適合用于脈沖固體激光器中,通常應用于低重復頻率條件時激光美容與激光醫療等領域,但是因為DKDP晶體電光應用的缺點是四分之波電壓比較高,1KHz以上有振鈴效應,快譜光電特推出DKDP電光調制器,DKDP單晶,雙晶開關以及DKDP低壓電振鈴效應開關等產品來豐富DKDP晶體電光應用領域。

    因DKDP晶體本身的易潮解性以及機械性能較差,建議使用時需注意在以下操作環境下使用:溫度操作范圍:10~50度,溫度變化每20分鐘不宜超過5度,環境濕度:<40% ,盡量搭配濕度控制裝置(干燥器皿及干燥劑)使用,不使用時請存儲于干燥箱內。

    注:由于DKDP普克爾盒所需施加的四分之一波長電壓和半波電壓與溫度有關,在1064nm波長下,四分之一波長電壓隨溫度變化的規律是溫度每升高1oC,所需四分之一波長電壓升高約50V。即,dV/dT約為+50V/ oC 。


    DKDP電光Q開關01.jpg



    KDP & DKDP電光晶體標準要求

    截面

    5 x 5 ~ 50 x 50 mm2

    長度

    2 mm ~ 40 mm

    超大尺寸

    100x100mm2

    含氘量

    >96%

    平面度

    λ/8 ~ λ/4 @ 633nm

    波前畸變

    λ/8 ~ λ/4 @ 633nm

    定向精度

    0.2°

    透過畸變

    λ/8 @ 633nm

    光學平行

    < 20 arc sec.

    側垂

    < 10 arc sec.

    光潔度

    10-5 膜后20-10 or 40-20

    倒邊

    <0.2mm x 45°

    鍍膜指標

    AR/AR 1064nm (R<0.2%@1064nm)

    損傷閾值

    350MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz


    應用范圍:
      ●染料激光器800nm二、三倍頻以及1064nm 二、三、四倍頻
      ●電光調制、電光調Q
      ●高速攝像開關 


    KDP與DKDP晶體屬性參數


    DKDP

    KDP

    化學式

    KH2PO4

    KD2PO4

    透光波段

    200-2150nm

    178-1580nm

    非線性系數

    d36=0.40pm/V

    d36=0.44pm/V

    電光系數

    γ63=25pm/V  γ41=8.8pm/V

    γ63=10.3pm/V  γ41=8.8pm/V

    吸收系數

    0.005/cm

    0.07/cm

    半波電壓

    2.98KV 546nm

    7.65KV 546nm


    標準要求(DKDP電光調Q及電光調制器)

    截面

    Z大

    直徑50 mm2

    Z小

    直徑5 mm2

    長度

    Z長

    40 mm

    透過畸變

    λ/8 @ 633nm

    光學平行

    < 20 arc sec.

    側垂

    < 5 arc sec.

    光潔度

    10-5 膜后20-10

    四分之一波電壓

    3.2kV at 1064nm, 20oC

    半波電壓

    6.4kV at 1064nm, 20oC

    輸入/輸出端 鍍膜

    300-1200nm可訂制

    透過畸變

    λ/8 @ 633nm

    整體透過率

    >98%

    損傷閾值

    350 MW/cm2 at 1064nm, 10ns, 1Hz


    標準規格(Z切DKDP晶體)

    單晶DKDP開關

    產品型號

    晶體尺寸

    通光孔徑

    外殼尺寸

    抗光傷,

    10ns 10Hz 1064nm

    電極方式

    消光比

    λ/4電壓

    (@1064 nm), kV DC

    透過率

    電容,pF

    CPDPC-1520-3542-AR

    Dia.15×20 mm3

    15mm

    Dia.35×42mm

    350MW/cm2

    柱面插針電極

    1000:1

    3.2kV

    >98.5%

    5pF

    CPDPC-1220-3236-AR

    Dia.12x20 mm3

    12mm

    Dia.32x36mm

    600MW/cm2

    端面插針電極

    1000:1

    3.2kV

    >98.5%

    5pF

    CPDPC-1220-3240-AR

    Dia.12x20 mm3

    12mm

    Dia.32x40mm

    350MW/cm2

    柱面插針電極

    1000:1

    3.2kV

    >98.5%

    5pF

    CPDPC-1220-2540-AR

    Dia.12x20 mm3

    12mm

    Dia.25x40mm

    350MW/cm2 

    柱面插針電極

    1000:1

    3.2kV

    >98.5%

    5pF

    CPDPC-1020-2532-AR

    Dia.10x20 mm3

    10mm

    Dia.25x32mm

    350MW/cm2

    柱面插針電極

    1000:1

    3.2kV

    >98.5%

    5pF

    CPDPC-0816-1926-AR

    Dia.8x16 mm3

    8mm

    Dia.19x26mm

    350MW/cm2

    柱面插針電擊

    1000:1

    3.2kV

    >98.5%

    5pF

    CPDPC-0816-1926-SG

    Dia.8x16 mm3

    8mm

    Dia.19x26mm

    750MW/cm2 

    (Sol-gel coatings)

    柱面插針電極

    1000:1

    3.2kV

    >98%

    5pF

    CPDPC-0816-2028-AR

    Dia.8x16 mm3

    8mm

    Dia.20x28mm

    350MW/cm2

    柱面插針電極

    1000:1

    3.2kV

    >98.5%

    5pF

    CPDPC-0816-1930-AR

    Dia.8x16 mm3

    8mm

    Dia.19x30mm

    350MW/cm2 

    端面引線

    1000:1

    3.2kV

    >98.5%

    5pF

    CPDPC-0918-1928-AR

    Dia.9x18 mm3

    8mm

    Dia.19x28mm

    350MW/cm2

    端面插針電極

    1000:1

    3.2kV

    >98.5%

    5pF

    雙晶DKDP開關

    產品型號

    晶體尺寸

    通光孔徑

    外殼尺寸

    抗光傷,

    10ns 10Hz 1064nm

    電極方式

    消光比

    λ/4電壓

    (@1064 nm), kV DC

    透過率

    電容,pF

    CPDDPC-1220-3565-AR

    Dia.12×20mm

    一對

    12mm

    Dia.35×65mm

    350MW/cm2

    柱面插針電極

    500:1

    1.6kV

    >97.5%

    8pF

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