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    RTP電光開關
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    H-KTP電光Q開關

    H-KTP電光Q開關

    • 所屬分類:電光開關
    • 瀏覽次數:
    • 發布日期:2020-10-23
    • 產品概述
    • 性能特點
    • 技術參數

    產品詳情:
      H-KTP晶體,采用水熱法生長,克服了普通熔鹽法KTP晶體常見的缺陷——“灰跡(Gray Track)”現象,具有高抗激光損傷閾值和高抗灰跡的能力,能夠長期穩定的應用于中高功率、高重復頻率和高轉換效率的激光系統。
      H-KTP晶體有良好的電光效應,可以用來做電光調Q開關電光調制開關(普克爾盒), 我司可以提供H-KTP電光Q開關配套的水冷結構設計,因此可以應用于更高功率??熳V光電專業提供各種電光開關,接受特殊定制,定制設計周期為1 - 2周,應用于各種復雜環境,應用功率可高達幾百瓦。

    H-KTP電光Q開關


    產品特性:

           ●高轉換效率:60% - 70%

           ●高光學均勻性:Δn<10-5

           ●低電導率:10-10/Ω?cm

           ●單疇結構

           ●低吸收率:<2000ppm/cm @532mm

           <150ppm/cm @1064mm

     


    H-KTP電光Q開關


    H-KTP電光Q開關


    H-KTP標準要求

    通光口徑

    2mm × 2mm to 8mm × 8mm

    zui大通光長度

    15mm

    尺寸公差

    (寬±0.1mm)×(高±0.1mm)×(長±0.2mm)

    zui大平均能量密度

    4kW/cm2 @532nm

    波前畸變

    <λ/8 @633nm

    通光面平面度

    <λ/8 @633nm

    通光面光潔度

    <10/5 (美軍標MIL-13830A)

    通光面平行度

    <20秒

    側面垂直度

    <5分

    常用膜

    AR/AR@1064&532nm

    增透膜反射率

    R< 0.2% @1064nm,R<0.5% @532 nm

    增透膜損傷閾值

    600MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

    1064nm 光的透過率

    >98.5%

    應用范圍:
      ●脈沖選擇
      ●電光調制、電光調Q


    產品優點:
      ●低插入損耗
      ●低半波電壓
      ●不潮解
      ●寬的透光波段
      ●高抗激光損傷閾值
      ●無壓電振鈴效應
      ●自動溫度補償范圍寬 


    產品規格:

    標準規格(Z切DKDP晶體)

    單晶DKDP開關

    序列號

    通光孔徑

    外殼尺寸(可按客戶設計)

    四分之波電壓

    電容

    CPHPC-4

    3.6 mm

    Ф20×35mm

    1000V at 20oC

    <4pF

    CPDPC-8

    7.6 mm

    加底座支架

    2000V at 20oC

    <5pF

    消光比

    >150:1




    光學性質

     H-KTP電光Q開關


    H-KTP電光開關在100kHz下工作:


    H-KTP電光Q開關



     

     



     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

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