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    摻釹釩酸釔晶體

    摻釹釩酸釔晶體

    • 所屬分類:激光晶體
    • 瀏覽次數:
    • 發布日期:2020-10-23
    • 產品概述
    • 性能特點
    • 技術參數

    產品特性:

      摻釹釩酸釔(Nd:YVO4)晶體是一種性能優良的激光晶體,常應用于半導體泵浦尤其是中低功率的激光器。與Nd:YAG相比Nd:YVO4晶體的優勢是對泵浦光有更高的吸收系數和更大的受激發射截面,能輸出線性偏振光。半導體泵浦條件Nd:YVO4晶體與LBO, BBO, KTP等高非線性系數的晶體配合使用,能夠達到更好的倍頻轉換效率。


    摻釹釩酸釔晶體


    摻釹釩酸釔晶體

     


      應用范圍:

      可以應用于輸出近紅外、綠色、藍色到紫外線(RGB激光器)等全固態激光器。而且Nd:YVO4晶體使半導體泵浦固態激光器更小型化,另外拓展了單縱模輸出方面。Nd:YVO4激光器在加工、醫學、激光印刷、數據存儲等多個領域有著廣泛的應用,此外,Nd:YVO4和Nd:YVO4鍵合晶體的應用領域還在不斷拓寬。



      優勢:
      ●在808nm左右的泵浦帶寬,約為Nd:YAG的5倍
      ● 在1064nm處的受激發射截面是Nd:YAG的3倍
      ● 光損傷閾低,高斜率效率
      ●雙軸晶體,輸出為線偏振光

     

    標準要求

    截面

    ~ 12mm2

    長度

    0.5 ~ 30mm

    平面度

    λ/8 @ 633nm

    波前畸變

     

    λ/8 @ 633nm

    側垂

    <5 arc min.

    受激輻射截面

    25 x10-19cm2

    平行

    <10 arc sec.

    常規波長應用

    1064nm;1342nm;914nm

    濃度范圍

    0.1% ~ 3%

    濃度控制精度

    ±0.05%

    定向

    a-cut, c-cut

    定向精度

    <6 arc min.

    光潔度

    10/5 膜后 20/10

    損傷閾值

    800MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

    鍍膜

    Coatings

    AR/AR@ 1064nm&808nm(R<0.2%);AR/AR@ 1064nm&808nm&880nm(R<0.2%)

    AR/AR@ 1064nm&808nm&1342nm(R<0.5%)

    AR/AR@ 1064nm&808nm&914nm(R<0.5%)

    (表1)


    標準規格

    序列號

    濃度

    晶體尺寸

    膜系

    CPNDEO-03-0310

    0.3%

    3x3x10mm3

    AR/AR @ 1064nm + 808nm

    CPNDEO-05-0415

    0.5%

    4x4x15mm3

    AR/AR @ 1064nm + 808nm

    CPND-05-0430-W

    0.5%

    4x4x30 mm3

    AR/AR @ 1064+(800-895)nm

    CPND-03-0308

    0.3%

    3x3x8mm3

    AR/AR @ 1064+808+1342nm

    CPNDDBC-0.3-0310

    0.3%

    3x3x(2+8)mm3

    AR/AR @ 1064nm + 808nm

    CPNDDBC-03-0320

    0.3%

    3x3x(2+16+2)mm3

    AR/AR @ 1064nm + 808nm

    可提供濃度范圍

    0.1%~ 3%

    濃度控制精度

    ±0.05%

    定向:

    A-cut

    C-cut

    受激輻射截面

    25x10-19cm2 1064nm

    定向精度

    <6分

    損傷閾值

    800MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

    常規波長應用

    1064nm; 1342nm; 914nm

    我司可提供Nd:YVO4單端, 雙端鍵合晶體以及YAG+Nd:YAG, Nd:YAG+Cr:YAG, Yb:YAG+Cr:YAG鍵合晶體等。

    (表2)



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